Выращивание кристаллов из паровой фазы

Выращивание кристаллов парофазовым методом широко используется для получения зпитаксиальных пленок полупроводниковых материалов. Принципиальная схема устройства для выращивания кристаллов из паровой фазы была показана на рис. 5. В обычных условиях метод чувствителен к возбуждению конвекции, которая ведет к возникновению дефектов кристаллической решетки. Кроме того, существует тенденция к поликристаллизации, большие кристаллы этим (методом на Земле получать трудно. В космических условиях можно рассчитывать на ограничение роли конвекции и улучшение качества получаемых материалов, а также на увеличение размеров монокристаллов.


Ожидаемые эффекты были также исследованы в эксперименте на станции «Скайлэб». Техника выращивания кристаллов из паровой фазы была применена к селениду и теллуриду германия. Были получены кристаллы, качество которых оказалось выше, чем у контрольных образцов, приготовленных на Земле. Удалось получить плоские монокристаллы селенида германия размером 4 × 17 мм и толщиной около 0,1 мм. На Земле были получены лишь мелкие кристаллики с несовершенной структурой.
С учетом этих результатов при совместном полете кораблей «Союз» и «Аполлон» был поставлен такой эксперимент. Здесь техника выращивания кристаллов из паровой фазы была применена к более сложным системам: германий—селен—теллур и германий—сера—селен. Образцы, полученные в космических условиях, также оказались более совершенными, а их структура более однородной.